Highmobility-junction-fieldeffect-transistor-by-means-of-grapheneMoS2-heterointerface-q

Материал из ТОГБУ Компьютерный Центр
Версия от 15:58, 10 марта 2024; Tonguesleet47 (обсуждение | вклад) (Highmobility-junction-fieldeffect-transistor-by-means-of-grapheneMoS2-heterointerface-q)

(разн.) ← Предыдущая | Текущая версия (разн.) | Следующая → (разн.)
Перейти к: навигация, поиск
Источник — «http://wiki.68edu.ru/index.php?title=Highmobility-junction-fieldeffect-transistor-by-means-of-grapheneMoS2-heterointerface-q&oldid=1611945»